Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Волинський національний університет ім. Лесі Українки
Abstract
Описуються процеси руйнування та відновлення кристалічних структур під впливом короткотривалих лазерних імпульсів. Розглядаються математичні моделі процесів формування напівпровідника з заданими наперед властивостями.
The process of destruction and renewal of crystal structures under the influence of short-term laser pulses are describe. The mathematical model of the formation of the semiconductor properties specified in advance are consider.
Description
Острей Сергій Вікторович – старший викладач кафедри прикладної математики та інформатики Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки
Citation
Острей С. Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання /С.Острей //Матеріали 4 міжнародної конференції «Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали» - РНАОПМ – 2008, С.112-118.