Фотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4
Loading...
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Abstract
У роботі досліджено кінетику релаксації фотопровідностів в монокристалі AgGaGeS4 Установлено, що час
релаксації фотопровідності в кристалах AgGaGeS4 залежить від інтенсивності освітлення та температури.
Оцінено глибину залягання пастки. ; Kinetics of
photoconductivity relaxation in AgGaGeS4 crystal has been investigated in this work. It has been established that
photoconductivity relaxation time in AgGaGeS4 crystals depends on light intensity and the temperature. The depth of
trap has been estimated from the experimental data.
Description
Citation
Фотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4 / Г. Мирончук, О. Парасюк, А. Кримусь // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: С. А. Федосов та ін.]. – Луцьк, 2015. – № 10 (311). – С. 38-41.