Про домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіюванні в n-Si при температурі Т = 300 450 К

Abstract

З метою вияснення ролі f- та g-переходів у міждолинному розсіюванні в кремнії n-типу в області температур 300 450 К було використано тензорезистивний (ТР) ефект, пов’язаний з міждолинним переселенням носіїв струму при одновісній деформації Х // [001] n-Si (n e = 4 · 10 13 см -3 ), а також температурні залежності питомого опору () Т в одновісно деформованих і недеформованих кристалах. Як і раніше під час вимірювань ТР ефекту при температурі Т < 300 K, спостерігається нахил залежності log від T log , який за відсутності тиску відповідає степеневому закону зміни рухливості Т -2,3 , а при сильних одновісних тисках Х = 12000 кГ/см 2 ( 10kT ) Т -1,6 . При такому тиску повністю знімаються f-переходи з міждолинного розсіювання, тому суттєва зміна нахилу температурної залежності питомого опору в цьому інтервалі температур при переході від недеформованих кристалів кремнію до одновісно деформованих кристалів свідчить про наявність вирішального внеску f-переходів у міждолинне розсіювання при Х = 0. Ключові слова: тензорезистивний ефект, міждолинне розсіювання, питомий опір, рухливість. ; In order to elucidate a role of f- and g-transitions in intervalley dissipation of n -type silicon in the temperature range of 300 450 К, we have measured the tensoresistive (ТR) effect caused by intervalley transfer of charge carriers at one-axis deformation Х // [001] n-Si (ne = 4·10 13 сm -3 ), as well as temperature dependencies of specific resistance () Т in one-axis deformed and undeformed crystals. As in the previous measurements of TR effect at temperatures Т < 300 K, we have observed a slope of dependency of lоg upon log T, which corresponds, in the case of absence of pressure, to the degree rule of change of Т -2,3 mobility, but in the case of strong one-axis pressures Х = 12000 kГ/сm 2 ( 10kT ) it corresponds to Т -1,6 . At such pressure, the f-transitions caused by intervalley dissipation are absent. Therefore, significant change of a slope of temperature dependence of specific resistance in this temperature region when going from undeformed silicon crystals to the one-axis deformed crystal indicates the existence of principal contribution of f-transitions to intervalley dissipation at Х = 0.