Системи AgInSe2 – AgGaSe2 та AgInSe2 – Ag9GaSe6

Abstract

Враховуючи дані, отримані за результатами РФА, МСА, ДТА та поміру мікротвердості, було побудовано діаграми стану систем AgInSe2 – AgGaSe2 та AgInSe2 – Ag9GaSe6. У системі AgInSe2 – AgGaSe2 існує евтектична точка LE ↔ α + β при 1030 К та 24 мол. % AgGaSe2, де α – тверді розчини на основі високотемпературної модифікації (ВТМ) AgInSe2, β – тверді розчини на основі сполуки AgGaSe2 та низькотемпературної модифікації (НТМ) AgInSe2. Нескінченний ряд β-твердих розчинів кристалізується в структурі халькопіриту. В системі AgInSe2 – Ag9GaSe6 існує евтектична точка LE ↔α + γ при 960 К та 60 мол. % AgGaSe2. According to the data obtained from the results of X-ray, X-ray structural, microstructural, differential-thermal analysis and measurement of microhardness, phase diagrams of the systems AgInSe 2 – AgGaSe2 and AgInSe2 – Ag9GaSe6 were constructed. There is eutectic point LE ↔ α + β at 1030 К and 24 mol. % AgGaSe2 in the AgInSe2 – AgGaSe2 system, where α – solid solutions based on the high-temperature modification (HTM) of AgInSe 2, β – solid solutions based on the compound AgGaSe2 and low-temperature modification (LTM) of AgInSe 2. A continuous series of β-solid solutions crystallize in the chalcopyrite structure. There is eutectic point L E ↔ α + γ at 960 К and 60 mol. % AgGaSe2 in the AgInSe2 – Ag9GaSe6 system.