Структура сполук складу Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) та твердих розчинів на їх основі

Abstract

Используя методы РФА та РСА анализов, изучена структура соединений состава Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) и твердых растворов на их основе. Соединения Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 та Hg5In2Te8 кристализируются в ПГ F 4 3m с параметром элементарной ячейки а = 1,16876(2) нм, 1,18876(2) нм, 1,24738(2) нм и 1,26723(2) нм соответственно. Using X-ray phase and X-ray structure analysis methods, crystal structure compounds type Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) and solid solution were investigated. Compaunds Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 and Hg5In2Te8 has crystal structure of the F4 3m with а = 1,16876(2) nm, 1,18876(2) nm, 1,24738(2) nm and 1,26723(2) nm.