Термоелектрична добротність монокристалів (AgSb)1-хPbхSe2.

Abstract

У роботі досліджено залежність коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності моно-кристалів (AgSb)1-хPbхSe2 від їх компонентного складу. Показано, що основний внесок у теплопровідність сполук (AgSb)1-хPbхSe2 при х=0-0,4 робить фононна складова теплопровідності. У монокристалах зі значенням х=0,92-1 величина електронної складової теплопровідності стає близькою до фононної. Збільшення вмісту Pb у (AgSb)1-хPbхSe2 у межах від х=0 до х=0,4 призводить до зменшення коефіцієнта теплопровідності (AgSb)1-хPbхSe2 від 0,56В т/К·м до 0,27Вт/К·м, та збільшення х від 0,92 до 1 призводить до зростання коефіцієнта теплопровідності у межах від 0,45 Вт/К·м до 1,11 Вт/К·м. Найвищими значеннями термоелектричної добротності володіють моно-кристали (AgSb)1-хPbхSe2 при x=0, 0,1, 0,2 0,92, 1 (ZT≈0,014-0,46). Маючи високе значення термоелектричної добро-тності, монокристали даного компонентного складу є перспективними матеріалами для термоелектрогенерації. Плавна зміна термоелектричних властивостей (AgSb)1-хPbхSe2 із зміною вмісту атомів Pb може знайти практичне використання у напівпровідниковому приладобудуванні, де використовуються матеріали AgSbSe2 та PbSe.