Кристалічна структура твердих розчинів Cu2GaInS4-хSeх та CuCd2Ga1-хInхSe4

Abstract

Робота присвячена дослідженню кристалічної структури твердих розчинів Cu2GaInS4-xSex та CuCd2Ga1-xInxSe4, які є перспективними матеріалами для напівпровідникових технологій. У роботі представлено результати синтезу окремих складів твердих розчинів методом сплавляння простих речовин у вакуумованих ампулах з подальшим відпалом. Як вихідні речовини було використано: мідь, галій, індій, сірку, селен та кадмій. Структури твердих розчинів сполук були досліджені методами рентґеноструктурного та рентґенофазового аналізу за дифрактограмами отриманими на рентґенівському дифрактометрі Bruker D8. Предсталене дослідження спрямоване на розширення та поглиблення знань у галузі неорганічної та фізичної хімії напівпровідників щодо халькогенідних матеріалів зі змінним складом і є важливим етапом для подальшого вивчення їх функціональних характеристик, зокрема термоелектричних та оптичних властивостей.