Кінетика релаксації фотопровідності в кристалах Ag 2 In 2 Si(Ge)Se 6

Abstract

В роботі досліджено кінетику фотопровідності твердих розчинів Ag2 In2 Si(Ge)Se 6. Досліджувані зразки характеризуються довготривалою релаксацією фотопровідності в інтервалі температур Т = 77–300К. Дані з релаксації фотопровідності проаналізовано на підставі уявлень про рівні прилипання та рекомбінаційні рівні. ; The test samples are characterized by long-term relaxation of the photoconductivity at T = 77−300 K. The experimental data on photoconductivity relaxation are analyzed in terms of trapping and recombination levels. Relaxation kinetics of non -equilibrium conductivity of Ag2 In2 Si (Ge) Se 6 compounds corresponds to an exponential recombination. The main parameters, determining the photoconductivity relaxation, have been obtained. It is shown that with increasing of the temperature, the relaxation time of photoconductivity of slow and fast components reduce.