Вплив ультразвуку на відпал радіаційних дефектів у нейтронно-легованому кремнії

Abstract

Шляхом вимірювання часу життя носіїв заряду досліджено вплив термічної та ультразвукової обробок на концентрацію точкових радіаційних дефектів в -опроміненому нейтронно-легованому кремнії. Виявлено, що ультразвук суттєво змінює характер відпалу радіаційних дефектів в інтервалі температур 160 240 0 С. Цей ефект пояснюється стимульованими ультразвуком процесами перебудови точкових дефектів в околі домішково-дефектних скупчень. ; The effects of heat and ultrasound treatment on the concentration of point defects in -irradiated neutrontransmutation-doped silicon were studied by measuring minority carrier lifetimes. It was found that the ultrasound substantially changes the annealing behavior of point defects at temperatures 160 240 0 С. This can be explained by the ultasonically stimulated rearrangements of point defects in the vicinity of defect -impurity clusters.