Анізотропія часів релаксації для ∆ 1 -мінімуму зони провідності кристалів n-Ge

Abstract

Обчислено параметр анізотропії часів релаксації для L 1 та ∆ 1-мінімумів зони провідності кристалів n-Ge із різною концентрацією домішки. Показано, що при одновісному деформуванні кристалів n-Ge (Х>2,4 ГПа) уздов ж кристалографічного напряму, унаслідок інверсії типу абсолютного мінімуму, зазнає і кількісних, і якісних змін параметр анізотропії часів релаксації. ; The anisotropy parameter of relaxation time for L 1 and ∆ 1-minimums of the conduction band in n-Ge with different impurity concentrations was calculated. Theory shows that quantitatively and qualitatively changes the anisotropy parameter of relaxation times as a result of the absolute minimum type inversion of the conduction band, about uniaxial stress (X>2,4 GPa) along the crystallographic direction.