Рівень Фермі в кристалах n-CdSb з глибокими енергетичними рівнями: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістра

Abstract

Проведено дослідження впливу радіаційних дефектів у легованих телуром кристалах антимоніду кадмію до та після високих доз опромінення γ-квантами 60Co на основі вимірів та аналізу температурних залежностей електропровідності, ефекту Холла в діапазоні температур (78 295) K. Виявлено, що γ-опромінення великими дозами призводить до значних змін електрофізичних властивостей.За результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму досліджено зміни положення рівня Фермі у кристалах n-CdSb, легованих домішками Te, до і після опромінення γ-квантами 60Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури в області домішкової та власної провідності. Проаналізовано публікації авторитетних світових науковців пов’язані з інноваційними напівпровідниковими технологіями для автомобільного транспорту. Це створює розуміння формування підтримки та розвитку цього напряму у світі і в Україні, визначення перспектив нових досліджень.