Особливості залежностей питомого опору в монокристалах n-Si, легованих Ge

Abstract

Методами поздовжнього п’єзоопору і двозондовим компенсаційним методом виміряно питомий опір, а також поданими результатами вимірювань ефекту Холла досліджено вплив домішки германію на неоднорід-ність питомого опору в кристалі кремнію. Як показали вимірювання, спостерігається незначна відмінність у ході залежностей  = f (X), отриманих на кристалах n-Si<Ge>, вирізаних уздовж і перпендикулярно осі росту кристала. Більш суттєво відрізняються залежності градієнтів питомого опору, одержані на тих самих кристалах двозондовим методом. Виявлені відмінності пов’язані із нерівномірним розподілом домішок у шарах росту кристалів, що вказує на складний характер розподілу неоднорідностей у кристалі, зумовлений впливом ізова-лентної домішки (ІВД). ; The influence of Ge-dopant on the non-uniformity of specific resistance (ρ) in n-Si- single crystals has been studied using longitudinal piezoresistance measurements, to-probe method and Hall-effect. The measurements showed small difference in  = f (X) dependences in n-Si<Ge> samples, cut lengthways and perpendicular to the axis of growth. The specific resistance gradients obtained by two probe method differ more significantly in the mentioned directions. Detected differences are due to the uneven distribution of impurities in the growth layers of the crystals. This indicates the complexity of the distribution of inhomogeneities in the crystals due to the influence of isovalent impurities.