Система Ga2Se3–In2Se3

Abstract

Методами рентгенофазового та диференційно-термічного аналізів досліджено квазібінарну систему Ga2Se3–In2Se3. За результатами досліджень та літературними даними побудовано її діаграму стану. Підтверджено існування фази γ1, ізоструктурної до γ-In2Se3 (пр. гр. Р61) та фази γ2, що кристалізується в тій же пр. гр. Р61. Методами рентгенофазового и дифференциально-термического анализов исследована квазибинарная система Ga2Se3–In2Se3. По результатам исследований и литературным данным построена её диаграмма состояния. Подтверждено существование фазы γ1, изоструктурной к γ-In2Se3 (пр. гр. Р61) и фазы γ2, которая кристаллизуется в той же пр. гр. Р61. The quasi-binary system Ga2Se3–In2Se3 was investigated by XRD and differential-thermal measurements. The diagram of phase equilibrium was constructed from the investigation results and literature data. The existence of γ1 phase, isostructural for γ-In2Se3 (sp. gr. Р61) and phase γ2, which crystallises in the same sp. gr. Р61 were confirmed.