Отримання та фотоелектричні властивості твердих розчинів Tl1 xIn1 xSnxSe2 (х = 0–0,25)

Abstract

Розроблено технологічні умови вирощування монокристалів твердих розчинів Tl1-x In1-x Sn x Se 2 (х = 0–0,25). Рентгенівським методом порошку розшифровано кристалічну структуру сплавів й запропоновано механізм утворення твердого розчину. Досліджено спектральний розподіл фотопровідності отриманих кристалів при T = 300 K та термостимульовану провідність. Показано вплив катіонного заміщення In 3+ на Sn 4+ у твердих роз-чинах Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (х = 0–0,25) на їх кристалографічні та фотоелектричні властивості. ; he technological conditions for growth of solid solutions Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (х = 0–0,25) single crystals have been developed. The crystal structure of the alloy has been solved by X ray diffraction powder method, the mechanism of the solid solution formation is proposed. Spectral distribution of photoconductivity for obtained crystals at T= 300 K and thermoinduced conductivity have been studied. The effect of In 3+ for Sn 4+ cationic substitution in solid solutions Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (х = 0–0,25) on their crystallographic and photovoltaic properties is shown.