The structure of glassy HgS-GeS2

dc.contributor.authorHalian, Volodymyr V.
dc.contributor.authorDavydiuk, Heorhii Ye.
dc.contributor.authorParasyuk, Oleh V.
dc.contributor.authorKevshyn, Andrii H.
dc.contributor.authorГалян, Володимир Володимирович
dc.contributor.authorДавидюк, Георгій Євлампійович
dc.contributor.authorПарасюк, Олег Васильович
dc.contributor.authorКевшин, Андрій Григорович
dc.date.accessioned2014-02-24T15:05:26Z
dc.date.available2014-02-24T15:05:26Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractThe glass HgS(x)-GeS2(100-x) (0 ≤ x ≤ 50) was subjected to X-ray analysis. The radial distribution functions were calculated using the integral Fourier transformation based on X-ray scattering curves. The average interatomic distances within the first and second coordination spheres were determined. It is suggested that the transformational changes of scattering curves are related to the emergence of heterogeneity due to Hg4GeS6 inclusions.uk_UK
dc.identifier.citationHalyan, V. V. The structure of glassy HgS-GeS2 / V. V. Halyan, H.Ye. Davydyuk, O.V. Parasyuk, A.H. Kevshyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. - V. 8, N 4. - P. 35-37.
dc.identifier.otherPACS 61.43.Fs
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/3302
dc.language.isoenuk_UK
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Технологічний парк "Напівпровідникові технології та матеріали, оптоелектроніка і сенсорна техніка", Українське відділення Міжнародного товариства оптичної технікиuk_UK
dc.subjectglassy alloyuk_UK
dc.subjectradial distribution functionuk_UK
dc.subjectaverage interatomic distancesuk_UK
dc.subjectheterogeneityuk_UK
dc.titleThe structure of glassy HgS-GeS2uk_UK
dc.typeArticleuk_UK

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
HgS-GeS2-strukt.pdf
Size:
234 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
2.59 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: