Електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів Cd1-x Znx Te (x=0,04)

Abstract

Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів Cd0,96 Zn 0,04 Te p-типу провідності, отримані методом Бріджмена в парах Cd та Zn. Темновий питомий опір монокристалів при Т≈300 К становив ρ≈10 6 –10 7 Ом·см, коефіцієнт термо- ЕРС – α≈700 мкВ/К. За результатами досліджень магнітоопору оцінено кон-центрацію та рухливість дірок. За положенням краю смуги власного оптичного поглинання, який описується правилом Урбаха, оцінено ширину забороненої зони (E g ≈1,53 еВ). Температурна залежність електропровідності досліджувалась в інтервалі температур 300 –700 К і має активаційний характер. ; Electric al, optical and photoelectrical properties of p-type single crystals Cd1- x Zn x Te grown by Bridgman method under Cd and Zn vapour pressure have been investigated. The resistivity of single crystals at T≈300 K is ρ≈10 6 - 10 7 Ohm·cm, the thermoelectric power factor - α≈700 μV/K. According to studies of the magnetoresistance concentration and mobility of holes have been estimated. On the position of the edge of intrinsic optical transitions, which is well described by the Urbach rule, the optical width of the forbiddenzone of the compound was evaluated (Eg ≈1,53 eV at T≈300 K). Temperature dependence of electrical conductivity was investigated in the temperature region from 300 K to 700 K and is shown to have activation character.