Вплив дефектів радіаційного походження на електричні властивості монокристалів антимоніду кадмію

Abstract

Досліджено вплив γ-опромінення на кінетичні параметри монокристалів антимоніду кадмію. Вимірюва -лися питома провідність та ефект Холла, що дало змогу отримати залежності сталої Холла, концентрації носіїв заряду та їх рухливості від температури. Виявлено різке збільшення значень рухливості в опромінених криста -лах при дозах опромінення до 4·10 18 γ кв/см 2 , яке пояснюється наявністю так званого «ефекту малих доз». Від-значено, що зростання рухливості носіїв заряду, спостережуване в роботі, виникає не за рахунок підвищення доско-налості кристалів при їх радіаційній обробці, а як наслідок − зниження ефективності розсіяння носіїв заряду на домішкових іонних залишках при частковій нейтралізації заряду протилежним за знаком зарядом дефектів. ; Influence of γ-irradiation on the kinetic parameters of cadmium antimony monocrystals has bin explored. Conductivity and Hall effect have bin measured, that allowed to get temperature dependences of Hall constant, concentration of charge transmitters and their mobility. The sharp increase of transmitters mobility in the crystals, exposed to the γ-irradiation at the doses up 4·10 18 γ-quantum/cm 2 , has bin discovered. We explain this fact by the presence of the so-called «effect of small doses». It is marked, that the increase of charge transmitters mobility, observed in this work, arises up not due to the increase of ordering of crystals after their radiation treatment, but due to the decline of efficiency of dispersion of charge transmitters on ionic residues of admixture during partial neutralization of charge by the opposite charge of defects.