Отримання й електричні властивості твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5) - Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Данильчук, Сергій; Піскач, Людмила; Мозолюк, Марія; Божко, Володимир; Kityk, Ivan; Myronchuk, Galyna; Danylchuk, Sergiy; Piskach, Ludmyla; Mozolyuk, Mariya; Bojko, Volodymyr (Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки, 2015)
Розроблено технологічні умови вирощування монокристалів твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5). Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура сплавів і запропоновано механізм утворення твердого розчину. Досліджено температурну залежність питомої темнової електропровідності, виз- начено енергії активації провідності. ; The technological conditions for growth of solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5) single crystals have been developed. The crystal structure of the alloy has been solved by X ray diffraction powder method, the mechanism of the solid solution formation is proposed. The temperature dependence of the specific electrical dark conductivity and the activation energy of conductivity have been determined.
Preparation and Electric Properties of Solid Solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5).
Keywords: енергія активації; стрибкова провідність; локалізованих стани; activation energy; hopping conductivity; localized states