Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS 4 - Давидюк, Г. Є.; Мирончук, Г. Л.; Парасюк, О. В.; Хвищун, M. В.; Данильчук, С. П.; Замуруєва, О. В.; Davydyuk, H. Ye.; Myronchuk, G. L.; Parasyuk, O. V.; Danil'chuk, S. P.; Zamurueva, O. V (Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки, 2012)
Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS 4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної ґратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS 4, р-типу провідності з шириною забороненої зони K) = T еВ(при = E g 300 2,84 . На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хви-льовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників із максимумами фоточутливості в області нм 435 1 м (власна фотопровідність) і . нм 608 2 м Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в рамках моделі Мотта для невпорядкованих тіл. ; The defective diamond-like crystals of quaternary compaund AgGaGeS4 (space group Fdd2) in which only 75% of sites in the crystallographic positions 16b are occupied by Ag atoms has been investigated. Due to the presence of stoichiometric silver vacancies and statistical filling of the appropriate lattice sites by Ga and Ge atoms the compaunds have features of disordered materials. It has been revealed tlat AgGaGeS4 single crystals have p-type of conductivity and energy bandgap K) = T еV(at = E g 300 2,84 . From the study of absorption spectra near the edge of fundamental transitions the conclusion is made about the existance of subbands of conduction band, formed by wawe functions of orbitals of valence electrons with various effective mass in Ag, Ga, Ge atoms. AgGaGeS4 single crystalls are shown to be photosensitive with maximum of photosensitivity at нм 435 1 м 435 nm (intrinsic photoconductivity) and нм 608 2 м 608 nm. The experimental results have been interpreted according to Mott model for disordered solids.
Features of the Absorption and Photosensitivity Spectra of Quaternary Compound AgGaGeS 4 Single Crystals
Keywords: халькогенідні сполуки; дефектні напівпровідники; chalcogenide compounds; defective semiconductors