Отримання й електричні властивості твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5)

Abstract

Розроблено технологічні умови вирощування монокристалів твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5). Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура сплавів і запропоновано механізм утворення твердого розчину. Досліджено температурну залежність питомої темнової електропровідності, виз- начено енергії активації провідності. ; The technological conditions for growth of solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5) single crystals have been developed. The crystal structure of the alloy has been solved by X ray diffraction powder method, the mechanism of the solid solution formation is proposed. The temperature dependence of the specific electrical dark conductivity and the activation energy of conductivity have been determined.