Оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів Ag2In2Si(Ge)Se6

Abstract

У роботі досліджено оптичні, електричні та фотоелектричні властивості маловивчених халькогенідних напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6. Показано, що досліджувані матеріали проявляють властивості невпорядко- ваних систем, обумовлених технологічними дефектами й структурними особливостями сполуки. Вивчено спектри оптичного поглинання напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6, розраховано коефіцієнт поглинання α, оцінено ширину забороненої зони. Інтерпретацію експерементальних результатів здійснено в межах моделі Мотта для невпорядкованих систем. ; The optical, electrical and photovoltaic properties of chalcogenide semiconductors Ag2In2Si(Ge)Se6 have been investigated in the present work. It is shown that Ag2In2Si(Ge)Se6 crystals exhibit the properties of disordered systems due to technological defects and structural features of the compound. Optical absorption spectra of Ag2In2Si(Ge) Se6 crystals have been examined, absorption coefficient calculated and energy gap estimated. Interpretation of experimental results is conducted basing on the Mott model for disordered systems.