DSpace Фонд:

Проблема Хакена в лазерній світловій динаміці та релаксаційна оптика

2015-06-06T07:29:53Z

Назва: Проблема Хакена в лазерній світловій динаміці та релаксаційна оптика Автори: Трохимчук, П. П.; Trokhimchuck, P. P. Короткий огляд (реферат): Наведено результати аналізу проблеми зриву лазерної генерації та хаотизації лазерного випромінювання (проблема Хакена) для твердотільних лазерів і показано, що ці явища позв’язані зі структурними незворотними змінами, що відбуваються в активному середовищі та які можна пояснити методами релаксаційної оптики.;Results over of analysis of problem of blowing off lasing and chaotization of laser radiation (Haken problem) are brought for solid state lasers and it is shown that these phenomena are related to the structural irreversible changes, that take place in a lasant, and can be explained by the methods of Relaxed Optics.

Поширення об’ємних спінових хвиль у неколінеарному антиферомагнетику типу CsCuCl3 з релаксацією та заломленням

2015-06-06T07:20:52Z

Назва: Поширення об’ємних спінових хвиль у неколінеарному антиферомагнетику типу CsCuCl3 з релаксацією та заломленням Автори: Решетняк, C. О.; Юрченко, О. М.; Reshetnyak, S. A.; Yurchenko, O. M. Короткий огляд (реферат): За допомогою методу ефективних лагранжіанів розглянуто процеси релаксації та заломлення обмінних спінових хвиль в об’ємній гелікоїдальній трикутній антиферомагнітній структурі у гексагональному кристалі типу CsCuCl3. Визначено спектр спінових хвиль у цій системі. Знайдено показники заломлення, що відповідають різним гілкам обмінних спінових хвиль у цій структурі.;Relaxation and refraction of spin waves are considered in a bulk helicoidal triangle antiferromagnetic structure in hexagonal crystal of the type of CsCuCl3 by means of the method of effective Lagrangians. Spin wave spectrum is defined in such structure. Refraction indexes are found which correspond to different branches of exchange spin waves in a given structure.

Електричні і фотоелектричні властивості структур In/Cu0,92Zn0,08InS2

2015-06-06T07:13:57Z

Назва: Електричні і фотоелектричні властивості структур In/Cu0,92Zn0,08InS2 Автори: Новосад, О. В.; Божко, В. В.; Герасимик, О. Р.; Novosad, О. V.; Bozhko, V. V.; Gerasymyk, O. R. Короткий огляд (реферат): Методом термічного вакуумного напилення індію на поверхню тонких сколів монокристалів твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4 отримано фоточутливі структури In/n-Cu1-xZnxInS2 (x=0 0,16). Досліджено стаціонарні та світлові вольт-амперні характеристики одержаних структур. Обговорено механізми струмоперенесення і процеси фоточутливості.;Photosensitive structures of the In/n-Cu1-xZnxInS2 (x=0-0,16) have been prepared by the thermal vacuum deposition of indium on the surface of single crystals of solid solutions CuInS2-ZnIn2S4 thin chips. The stationary and light current-voltage characteristics of these structures are studied. The current mechanisms and the photosensitivity processes of the thin structures are being discussed.

Особливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4

2015-06-06T07:04:59Z

Назва: Особливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4 Автори: Мирончук, Г. Л.; Якимчук, О. В.; Данильчук, С. П.; Парасюк, О. В.; Шаварова, Г. П.; Давидюк, Г. Є.; Myronchuk, G. L.; Yakymchuk, O. V.; Danyl’chuk, S. P.; Parasyuk, O. V.; Shavarova, A. P.; Davydyuk, G. E. Короткий огляд (реферат): Вивчались, одержані в лабораторіях університету об’ємні (60 10 10) мм2 монокристалічні тетрарні сполуки Ag2CdSnS4. Внаслідок високої концентрації технологічних дефектів N 2 1018см 3 вони проявляють риси невпорядкованих систем. На основі дослідження температурних залежностей електропровідності, спектрів поглинання світла, фотопровідності, оптичного гашення фотопровідності встановлено енергетичні положення технологічних дефектів у забороненій зоні, які відповідальні за електрично і оптично активні центри в Ag2CdSnS4, визначено ширину забороненої зони сполуки ( Eg 1,92еВ при T 300K ). Запропоновано несуперечливу фізичну модель спостережуваних процесів у монокристалах тетрарного халькогеніду Ag2CdSnS4.; Single crystals of quaternary compounds Ag2CdSnS4, obtained in the laboratories of the University, have been studied. Due to high concentration of technological defects (N≈2·1018cm-3) they exhibit the features of disordered systems. The energy position in the forbidden band of technological defects responsible for electric and optical properties of Ag2CdSnS4, the energy gap of the compounds (Eg ≈1,92 eV at Т≈300К) have been determined from the temperature dependence of electric conductivity, absorption spectra of photoconductivity and optical quenching of photoconductivity. Non- contradictory physical model of processes observed in single crystals of quaternary chalcogenides Ag2CdSnS4 has been suggested.

Вплив стиків зерен полікристалів на зернограничне внутрішнє тертя

2015-06-06T06:52:17Z

Назва: Вплив стиків зерен полікристалів на зернограничне внутрішнє тертя Автори: Лазаренко, А. С.; Lazarenko, A. S. Короткий огляд (реферат): В статті вивчено механізм зернограничного затухання у полікристалах. З’ясовано, що явище зернограничного внутрішнього тертя у значній мірі обумовлено взаємоузгодженням зернограничних процесів у потрійних стиках зерен полікристалів. Побудовано відповідну теоретичну модель, згідно з результатами якої зернограничне затухання обернено пропорційне характерному розміру зерна полікристалу.;The article deals with the model of grain boundary damping in polycrystals. The grain boundary internal friction is caused by agreement grain boundaries processes in the junctions of the grains. A theoretical model of grain boundary damping is built. Grain boundary damping is inversely upon the size of grains of polycrystals.

Особливості стрибкової низькотемпературної електропровідності твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4

2015-06-06T06:45:57Z

Назва: Особливості стрибкової низькотемпературної електропровідності твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4 Автори: Кажукаускас, В.; Божко, В. В.; Давидюк, Г. Є.; Новосад, О. В.; Козер, В. Р.; Парасюк, О. В.; Kazhukauskas, V.; Bozhko, V. V.; Davіdyuk, H. Ye.; Novosad, О. V.; Kozer, V. R.; Parasyuk, O. V. Короткий огляд (реферат): Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості халькогенідних монокристалів твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4, одержаних у хімічних лабораторіях ВНУ. Встановлено особливості електро- і фотопровідності монокристалів CuInS2 ZnIn2S4 у широкому інтервалі температур (77 300 К). Зміна складу твердого розчину веде (із зростанням молярного вмісту компоненти ZnIn2S4) до плавного зростання ширини забороненої зони і зміни інших електричних і оптичних параметрів зразків. В області низьких температур (Т < 80 K) домінуючою є стрибкова електропровідність по домішковій зоні локалізованих електронних станів, обумовлених катіонними вакансіями. Досліджено вплив фотозбудження з області фундаментальних переходів на деякі параметри стрибкової провідності. Запропоновано фізичну модель, яка несуперечливо пояснює електричні і оптичні процеси в CuInS2 ZnIn2S4, що проявляють риси невпорядкованих напівпровідників.; The electric, optical and photovoltaic properties of chalcogenide single-crystal solid solutions CuInS2 ZnIn2S4, which were obtained in chemical laboratories of the Volyn National University have been studied. The features of electric conductivity and photoconductivity of solid solutions in the temperature range 77 300 K have been determined. The increase of ZnIn2S4 content leads to a smooth increase of the band gap and changes in other electrical and optical parameters of the samples. At low temperatures (T < 80 K) hopping conductivity in the impurity band of localized electronic states becomes dominant. The influence of photoexcitation from the region of fundamental transitions on some parameters of hopping conductivity is investigated. The physical model that explains the electrical and optical processes in CuInS2-ZnIn2S4, belonging to defect semiconductors with features of disordered systems is proposed.

Пам’яті Леоніда Романовича Калапуші

2015-06-06T06:31:00Z

Назва: Пам’яті Леоніда Романовича Калапуші Автори: Головіна, Н. А.; Кобель, Г. П.; Golovina, N. A.; Kobel’, G. P. Короткий огляд (реферат): Висвітлено життєвий шлях та досягнення відомого педагога – одного із засновників фізичної науки на Волині Леоніда Романовича Калапуші.;The life and the achievements of well-known teacher, one of Volyns’ physics foundators Leonid Romanovych Kalapusha are considered.

Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня EC 0,2 еВ у монокристалах n-Ge

2015-06-05T21:28:42Z

Назва: Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня EC 0,2 еВ у монокристалах n-Ge Автори: Федосов, С. А.; Луньов, C. В.; Захарчук, Д. А.; Панасюк, Л. І.; Коваль, Ю. В.; Fedosov, S. A.; Luniov, S. V.; Zakharchuk, D. A.; Panasyuk, L. I.; Koval, Yu. V. Короткий огляд (реферат): Досліджено вплив одновісної пружної деформації на величину зміни положення глибокого енергетичного рівня золота EC 0,2 еВ в n-Ge за даними п’єзоопору у широкій області механічних напруг X = 0 1,2 ГПа для XJ| | ||[011] та X || J || [100]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення глибоких рівнів і оцінено ступінь їх заповнення при одновісній деформації. Обчислено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC 0,2 еВ і долинами зони провідності n-Ge при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [100]. Визначено середнє значення коефіцієнта (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур.; The influence of uniaxial elastic deformation on the change of the location of deep energy level of gold EC 0,2 eV in n-Ge according to piezoresistance in wide area of mechanical stress X =0-1,2 GPa is investigated under a condition X || J || [110] and XJ| | ||[001]. The method of calculation of shift rate is represented and the state of filling of the energy levels ( ) to an uniaxial deformation is estimated. A change of the energy gap between the deep energy level EC 0,2 eV and the conduction band valleys in n-Ge arising due to deformation along the crystallographic directions [110] and [0 01] is calculated. The value average of an at different temperatures was determined.

Вчений, Учитель, Людина: до 65-ї річниці від дня народження професора А. В. Федосова

2015-06-05T21:06:08Z

Назва: Вчений, Учитель, Людина: до 65-ї річниці від дня народження професора А. В. Федосова Автори: Дмитрієва, Н. М.; Ящинський, Л. В.; Захарчук, Д. А.; Пастернак, М. П.; Коваль, Ю. В.; Dmytriyeva, N. M.; Yashchynskiy, L. V.; Zacharchuk, D. A.; Pasternak, M. P.; Koval, Yu. V. Короткий огляд (реферат): Висвітлено основні віхи життєвого шляху відомого вченого фізика професора А. В. Федосова.;The paper presents the career and scientific achievements of well-known physicist Professor Anatolyj Fedosov.

Структурні параметри і деякі фізичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4

2015-06-05T20:42:57Z

Назва: Структурні параметри і деякі фізичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 Автори: Давидюк, Г. Є.; Мирончук, Г. Л.; Парасюк, О. В.; Шевчук, М. В.; Якимчук, О. В.; Данильчук, С. П.; Myronchuk, G. L.; Davudyuk, G. E.; Parasyuk, O. V.; Shevchuk, N. V.; Yakumchuk, O. V.; Danylchuk, S. P. Короткий огляд (реферат): Досліджено монокристали твердих розчинів 50 %мол. AgGaGeS4 + 50мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну й термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Еg 2,30еВ при Т ≈ 300К). Монокристали розчину AgGaGe2S2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дає змогу пояснити експериментально одержані результати. Single crystals of the solid solution of 50 mol.% AgGaGeS4 + 50 mol.% AgGaGe3Se8 were investigated. Due to the statistical distribution of Ga and Ge atoms in their sites and the existence of the vacancies in Ag sites, the solid solution exhibits the properties of disordered semiconductors with the maximum density of localized energy states near the middle of the band gap. Optical and thermal bandgap energy and their temperature dependence were determined (Еg=2.30 еV at 300 К). AgGaGe2S2Se4 single crystals were photosensitive р-type semiconductors with the Fermi level near the middle of the band gap. Peculiarities of the conductivity and the spectral distribution of the photoconductivity of the samples were investigated. A non-contradictory physical model is suggested which explains the experimental results.