DSpace Зібрання:

To Question of Modeling of Mechanisms of Laser-Induced Destruction in Dielectrics and Semiconductors

2018-05-21T11:10:10Z

Назва: To Question of Modeling of Mechanisms of Laser-Induced Destruction in Dielectrics and Semiconductors Автори: Trоkhimchuck, P. P.; Трохимчук, П. П. Короткий огляд (реферат): Results of analysis of problem of mechanisms of laser-induced destruction in dielectrics, including polariton models, are discussed. These phenomena may be represented as effects of Relaxed Optics. The influence of dynamic and kinetic factors on these processes is shown. Some analogy of these mechanisms with microscopic mechanism of Cherenkov radiation is analyzed too. ; Наведено результати аналізу проблеми моделювання механізмів лазерно-індуко-ваного руйнування діелектриків, включаючи поляритонні моделі. Ці явища розглянуто як ефекти релаксаційної оптики. Показано, що поряд з динамічними чинниками в цих процесах вирішальну роль можуть відігравати і кінетичні чинники. Проаналізовано певну аналогію цих механізмів з мікроскопічним механізмом Черенковського випромінювання.

Середньоквадратичне відхилення від еталону моделі випадкової величини, побудованої за допомогою S-статистики

2015-06-05T18:22:06Z

Назва: Середньоквадратичне відхилення від еталону моделі випадкової величини, побудованої за допомогою S-статистики Автори: Турбін, А. Ф.; Ханін, О. Г.; Turbin, A. F.; Khanin, O. G. Короткий огляд (реферат): Статтю присвячено одному з аспектів моделювання складних систем та явищ – моделюванню випадкових впливів за певною кількістю попередніх спостережень їх фактичних значень. У статті отримано середньо-квадратичну оцінку якості моделі, побудованої за допомогою S-статистики. ; The article is devoted to one aspect of complex systems and phenomena modeling modeling of random effects based on a certain number of previous observations of their actual values. The mean-square quality estimation of the model, based on S-statistics, was obtained in the paper.

Проблема моделювання фазових трансформацій у релаксаційній оптиці

2015-06-05T18:10:33Z

Назва: Проблема моделювання фазових трансформацій у релаксаційній оптиці Автори: Трохимчук, П. П.; Trokhimchuck, P. P. Короткий огляд (реферат): Наведено результати аналізу проблеми моделювання фазових трансформацій, включаючи фазові переходи в релаксаційній оптиці. Показано, що поряд із динамічними чинниками в процесах релаксаційної оптики вирішальну роль можуть відігравати й кінетичні чинники. Проаналізовано з цього погляду процеси лазерного легування та лазерного відпалу напівпровідників. ; Results of analysis of problem of modeling of phase transformations, including phase transitions, in Relaxed Optics are represented. The influence of dynamic and kinetic factors on the processes of Relaxed Optics is shown. The processes of the laser implantation and laser annealing of semiconductors are analyzed too.

Коваріантність тензора Рімана на дотичному просторі де Сіттера

2015-06-05T17:59:55Z

Назва: Коваріантність тензора Рімана на дотичному просторі де Сіттера Автори: Шваліковський, Д. М.; Shvalikovsky, D. M. Короткий огляд (реферат): Розглянуто можливість побудови коваріантного тензора Рімана на дотичному многовиді до розшарованого простору, де шаром є простір де Сіттера. Побудовано калібрувально-інваріантний лагранжіан гравітаційного поля, де в ролі калібрувальної групи виступає група де Сіттера. ; Investigated the possibility of construction of covariant Riemman tensor on a tangent manifold to layered space where the ordinary layer is a de Sitter space. The gauge-invariant lagrangian of a gravitational field was construct.

Визначення методами Фур’є–Хартлі мікротопографічних параметрів фрактографічних поверхонь

2015-06-05T17:37:43Z

Назва: Визначення методами Фур’є–Хартлі мікротопографічних параметрів фрактографічних поверхонь Автори: Шостак, А. В.; Мельник, Ю. А.; Shostak, A.V.; Melnik, Yu. A. Короткий огляд (реферат): Розглянуто питання стереомікротопографії (поверхонь металів, твердих тіл). Пропонується за даними РЕМ-стереовимірювань апроксимувати цифрові моделі мікрорельєфу методами Фур’є−Хартлі з наступним визначенням крутизни, кривини, спектральної щільності. ; The problems of stereomicrotopography (of metal surfaces, of solid body’s) are considered. The approximation of microrelief digital models by Fourier−Hartley methods on the basis of REMstereomeasurements datas (a steepness, a curvature, spectral density) are proposed.

Про домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіюванні в n-Si при температурі Т = 300 450 К

2015-06-05T17:12:33Z

Назва: Про домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіюванні в n-Si при температурі Т = 300 450 К Автори: Панасюк, Л. І.; Коломоєць, В. В.; Божко, В. В.; Panasjuk, L. I.; Kolomojez, V. V.; Bozhko, V. V. Короткий огляд (реферат): З метою вияснення ролі f- та g-переходів у міждолинному розсіюванні в кремнії n-типу в області температур 300 450 К було використано тензорезистивний (ТР) ефект, пов’язаний з міждолинним переселенням носіїв струму при одновісній деформації Х // [001] n-Si (n e = 4 · 10 13 см -3 ), а також температурні залежності питомого опору () Т в одновісно деформованих і недеформованих кристалах. Як і раніше під час вимірювань ТР ефекту при температурі Т < 300 K, спостерігається нахил залежності log від T log , який за відсутності тиску відповідає степеневому закону зміни рухливості Т -2,3 , а при сильних одновісних тисках Х = 12000 кГ/см 2 ( 10kT ) Т -1,6 . При такому тиску повністю знімаються f-переходи з міждолинного розсіювання, тому суттєва зміна нахилу температурної залежності питомого опору в цьому інтервалі температур при переході від недеформованих кристалів кремнію до одновісно деформованих кристалів свідчить про наявність вирішального внеску f-переходів у міждолинне розсіювання при Х = 0. Ключові слова: тензорезистивний ефект, міждолинне розсіювання, питомий опір, рухливість. ; In order to elucidate a role of f- and g-transitions in intervalley dissipation of n -type silicon in the temperature range of 300 450 К, we have measured the tensoresistive (ТR) effect caused by intervalley transfer of charge carriers at one-axis deformation Х // [001] n-Si (ne = 4·10 13 сm -3 ), as well as temperature dependencies of specific resistance () Т in one-axis deformed and undeformed crystals. As in the previous measurements of TR effect at temperatures Т < 300 K, we have observed a slope of dependency of lоg upon log T, which corresponds, in the case of absence of pressure, to the degree rule of change of Т -2,3 mobility, but in the case of strong one-axis pressures Х = 12000 kГ/сm 2 ( 10kT ) it corresponds to Т -1,6 . At such pressure, the f-transitions caused by intervalley dissipation are absent. Therefore, significant change of a slope of temperature dependence of specific resistance in this temperature region when going from undeformed silicon crystals to the one-axis deformed crystal indicates the existence of principal contribution of f-transitions to intervalley dissipation at Х = 0.

Використання дидактичної матриці для розв’язування фізичних задач з теми «Рівняння фотоефекту»

2015-06-05T17:00:41Z

Назва: Використання дидактичної матриці для розв’язування фізичних задач з теми «Рівняння фотоефекту» Автори: Лазаренко, А. С.; Lazarenko, A. S. Короткий огляд (реферат): У статті описано алгоритмічний підхід до розв’язування фізичних задач з теми «Рівняння фотоефекту». Особливість підходу визначено використанням матриці, яка об’єднує всі можливі форми запису рівняння Ейнштейна для зовнішнього фотоефекту. Під час аналізу умови задачі за допомогою цієї матриці здійснено оптимальний вибір форми запису і способу використання рівняння фотоефекту. ; The article describes an algorithmic approach to the solution of physical tasks of the theme «The equation of the photoelectric effect». Feature of the approach is determination by using of the matrix of the form of writing down Einstein’s equations. During the analysis of the conditions of the task with the help of this matrix make up the optimal choice of the form of writing of equation of the photoelectric effect.

Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивості монокристалів тетрарної сполуки AgGaGe 3 Se 8

2016-06-10T12:58:43Z

Назва: Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивості монокристалів тетрарної сполуки AgGaGe 3 Se 8 Автори: Кітик, І. В.; Мирончук, Г.Л.; Давидюк, Г. Є.; Якимчук, О. В.; Парасюк, О. В.; Хмель, М.; Kityk, I. V.; Myronchuk, G. L.; Davidyuk, G. Ye.; Yakimchuk, O. V.; Parasyuk, O. V.; Chmiel, M. Короткий огляд (реферат): Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3 Se 8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука − високоомний (~10 -7 −10 -10 Ом -1 см -1 , при Т ≈ 300К) широкозонний напівпровідник (Eg ≈ 2,4 еВ) р-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe 3 Se 8 з 5 10% концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (hν < 1,8 еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів. ; The electric, optical and photoelectric properties of quaternary phase AgGaGe3 Se 8 single crystals, doped with Cu, In, Si, Sn atoms have been investigated. It has been shown, that the compound is a high resistant (~ 10 -7 −10 -10 Om -1 cm -1 at T ≈ 300 K) wide-band semiconductor (E g ≈ 2,4 eV) that has p-type conductivity and its electric, optical and photoelectric parameters depend on the nature and concentration of the dopant. It is shown that doping of AgGaGe 3 Se 8 with impurity concentration 5−10% leads to the enlightenment of the crystal in the © Кітик І. В., Мирончук Г. Л., Давидюк Г. Є., Якимчук О. В., Парасюк О. В., Хмель М., 2012 РОЗДІЛ I. Фізика твердого тіла. 3, 2012 9 transparency window (h ν < 1,8 eV). On the base of the proposed physical model with provision for the features of disordered systems the interpretation of experimental results has been carried out.

Деякі термоелектричні властивості тетрарних шпінелей Cu2B II Ti3 S 8 (B II –Cr, Mn, Fe, Co, Ni)

2015-06-05T16:36:40Z

Назва: Деякі термоелектричні властивості тетрарних шпінелей Cu2B II Ti3 S 8 (B II –Cr, Mn, Fe, Co, Ni) Автори: Хижун, О. Ю.; Милян, Ж. І.; Воронюк, С. В.; Khyzhun, O. Yu.; Milyan, Zh. I.; Voronyuk, S. V. Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено окремі електричні та термоелектричні властивості маловивчених складних шпінелей Cu2B II Ti3 S 8 (B II –Cr, Mn, Fe, Co, Ni). Встановлено особливості їх електропровідностей і значення коефіцієнта об’ємної термо-е.р.с. Згідно знаку термо-е.р.с., всі сполуки належать до напівпровідників n-типу провідності. ; Some electrical and thermoelectrical properties of poorly investigated complex thiospinels Cu2B II Ti3 S 8 (B II –Cr, Mn, Fe, Co, Ni), such as peculiarities of their electroconductivity at 295 K, thermoE.M.P. factor, were determined. The sign of termo-E.M.P. indicates, that all compounds belong to the n-type semiconductors.

Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS 4

2015-06-05T16:25:09Z

Назва: Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS 4 Автори: Давидюк, Г. Є.; Мирончук, Г. Л.; Парасюк, О. В.; Хвищун, M. В.; Данильчук, С. П.; Замуруєва, О. В.; Davydyuk, H. Ye.; Myronchuk, G. L.; Parasyuk, O. V.; Danil'chuk, S. P.; Zamurueva, O. V Короткий огляд (реферат): Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS 4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної ґратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS 4, р-типу провідності з шириною забороненої зони K) = T еВ(при = E g 300 2,84 . На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хви-льовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників із максимумами фоточутливості в області нм 435 1 м (власна фотопровідність) і . нм 608 2 м Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в рамках моделі Мотта для невпорядкованих тіл. ; The defective diamond-like crystals of quaternary compaund AgGaGeS4 (space group Fdd2) in which only 75% of sites in the crystallographic positions 16b are occupied by Ag atoms has been investigated. Due to the presence of stoichiometric silver vacancies and statistical filling of the appropriate lattice sites by Ga and Ge atoms the compaunds have features of disordered materials. It has been revealed tlat AgGaGeS4 single crystals have p-type of conductivity and energy bandgap K) = T еV(at = E g 300 2,84 . From the study of absorption spectra near the edge of fundamental transitions the conclusion is made about the existance of subbands of conduction band, formed by wawe functions of orbitals of valence electrons with various effective mass in Ag, Ga, Ge atoms. AgGaGeS4 single crystalls are shown to be photosensitive with maximum of photosensitivity at нм 435 1 м 435 nm (intrinsic photoconductivity) and нм 608 2 м 608 nm. The experimental results have been interpreted according to Mott model for disordered solids.