https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/19456 2026-09-10T16:59:15Z 2026-09-10T16:59:15Z Головіна, Ніна Анатоліївна Кобель, Григорій Петрович Савош, Валентин Олексійович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30706 2026-03-31T11:30:08Z 2026-01-01T00:00:00Z

Назва: Методичні рекомендації до нормативного освітнього компонента "Переддипломна педагогічна практика" (7-9 класи) Автори: Головіна, Ніна Анатоліївна; Кобель, Григорій Петрович; Савош, Валентин Олексійович Короткий огляд (реферат): У методичних рекомендаціях подано матеріали щодо організації проходження виробничої переддипломної педагогічної практики здобувачами освіти ОКР “Магістр” галузі знань А – Освіта; спеціальність А4 – Середня освіта, предметна спеціальність А4.08 – Середня освіта (Фізика та астрономія), освітньо-професійна програма Середня освіта. Фізика Волинського національного університету імені Лесі Українки. У роботі подано матеріали, які будуть корисні при вивченні освітніх компонент методичного спрямування.

2026-01-01T00:00:00Z Кобель, Григорій Петрович Головіна, Ніна Анатоліївна Савош, Валентин Олексійович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30705 2026-03-31T11:25:54Z 2026-01-01T00:00:00Z

Назва: Загальна фізика (механіка). Практичні заняття Автори: Кобель, Григорій Петрович; Головіна, Ніна Анатоліївна; Савош, Валентин Олексійович Короткий огляд (реферат): У навчальному виданні наведено приклади розв’язання задач з фізики та задачі для самостійного розв’язування за темами, що охоплюють всі розділи курсу класичної механіки. Запропоновані задачі можуть бути використані для самостійної роботи студентів і для контролю знань студентів викладачем. На початку кожної теми подано короткий перелік формул і законів, які стосуються виконання завдань з відповідної теми. Навчальний посібник призначений для студентів фізичних спеціальностей ВНУ імені Лесі Українки. Практикум може також стати у нагоді вчителям фізики ЗЗСО, які викладають фізику у профільних класах, готують школярів до олімпіад.

2026-01-01T00:00:00Z Кевшин, Андрій Григорович Галян, Володимир Володимирович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30540 2026-02-25T13:03:42Z 2026-02-01T00:00:00Z

Назва: Споживачі електричної енергії Автори: Кевшин, Андрій Григорович; Галян, Володимир Володимирович Короткий огляд (реферат): Навчальне видання присвячене комплексному вивченню технічних, економічних та експлуатаційних особливостей сучасних приймачів електричної енергії. У конспекті лекцій детально розглянуто класифікацію споживачів за надійністю електропостачання, режими їхньої роботи та вплив на якість енергії в мережі. Особлива увага приділяється питанням раціонального використання ресурсів та впровадженню інтелектуальних систем управління енергоспоживанням у промисловості та побуті.

2026-02-01T00:00:00Z Кевшин, Андрій Григорович Галян, Володимир Володимирович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30539 2026-02-25T13:00:53Z 2026-02-01T00:00:00Z

Назва: Основи ефективного використання енергії Автори: Кевшин, Андрій Григорович; Галян, Володимир Володимирович Короткий огляд (реферат): Даний конспект лекцій висвітлює комплексні підходи до раціонального споживання енергоресурсів, охоплюючи технічні, економічні та екологічні аспекти сучасної енергетики. У виданні детально розглянуто методи термомодернізації будівель, принципи проведення енергоаудиту, а також перспективи впровадження відновлюваних джерел енергії та інтелектуальних мереж Smart Grid. Навчальний матеріал спрямований на формування у студентів практичних навичок ефективного управління енергією та розвиток екологічної свідомості у сфері ресурсозбереження.

2026-02-01T00:00:00Z Кевшин, Андрій Григорович Юхимчук, Володимир Володимирович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30538 2026-02-25T12:57:30Z 2026-02-01T00:00:00Z

Назва: Методологія та організація наукових досліджень у галузі Автори: Кевшин, Андрій Григорович; Юхимчук, Володимир Володимирович Короткий огляд (реферат): Конспект лекцій «Методологія та організація наукових досліджень у галузі» висвітлює теоретичні засади науки, основні етапи проведення дослідження та систему методів наукового пізнання. У виданні розглянуто питання вибору теми, оформлення результатів, підготовки наукових публікацій і дотримання принципів академічної доброчесності. Матеріал рекомендовано для здобувачів освіти спеціальностей Е6 «Прикладна фізика та наноматеріали» та Е5 «Фізика та астрономія».

2026-02-01T00:00:00Z Шигорін, Олег Павлович Новосад, Олексій Володимирович Піскач, Людмила Василівна https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/30479 2026-02-13T12:50:38Z 2025-12-30T00:00:00Z

Назва: Електричні властивості кристалів твердих розчинів перерізу Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSe12. Автори: Шигорін, Олег Павлович; Новосад, Олексій Володимирович; Піскач, Людмила Василівна Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень електричних властивостей кристалів перерізу Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12 із вмістом 10, 20, 30, 40 та 50 мол.% Pb4Ga4GeSе12. Дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К). Напівпровідникові сполуки Pb4Ga4GeS12 та Pb4Ga4GeSе12, а також тверді розчини системи Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12, кристалізуються в тетрагональній просторовій групі Р–421с. Ці матеріали поєднують властивості класичних напівпровідників, термоелектричних матеріалів і кристалів, перспективних для нелінійно-оптичних застосувань. Монокристали Pb4Ga4GeS12 належать до напівпровідників p-типу провідності, що зумовлено наявністю вакансій VPb, VGa, VGe, або дефектами заміщення PbGa, PbGe. Натомість тверді розчини Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12 із вмістом 10–50 мол.% Pb4Ga4GeSе12 демонструють n-тип провідності. Інверсія типу провідності обумовлюється зменшенням ширини забороненої зони та зростанням концентрації вакансій халькогену (VSe) зі збільшенням частки Pb4Ga4GeSе12. Немонотонна залежність питомого опору кристалів Pb4Ga4GeS12–Pb4Ga4GeSе12 від вмісту Pb4Ga4GeSе12 пов’язана з різними механізмами провідності. Збільшення питомого опору при введенні в Pb4Ga4GeS12–Pb4Ga4GeSе12 до 10 мол.% Pb4Ga4GeSе12 пояснюється частковою заміною атомів S на Se, що підвищує дефектність кристалічної ґратки та зменшує рухливість носіїв заряду. При подальшому зростанні вмісту Pb4Ga4GeSе12 (понад 20 мол.%) кристалічна решітка поступово стабілізується, набуваючи структури, близької до Pb4Ga4GeSе12, що призводить до зниження питомого опору. Додатково цей ефект посилюється зменшенням ширини забороненої зони, внаслідок чого зменшується енергія активації донорних та акцепторних центрів, полегшуючи термічну іонізацію носіїв заряду.

2025-12-30T00:00:00Z Новосад, Олексій Володимирович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/29554 2025-11-28T07:10:51Z 2025-11-27T00:00:00Z

Назва: Лабораторний практикум з електроніки Автори: Новосад, Олексій Володимирович Короткий огляд (реферат): У навчальному видані «Лабораторний практикум з електроніки : навчальний посібник» поданий теоретичний матеріал для підготовки до лабораторних робіт з освітньої компоненти «Електроніка» для здобувачів освіти спеціальності Е6 Прикладна фізика та наноматеріали. Рекомендовано для здобувачів освіти інженерно-технічних та природничих спеціальностей, які виконують лабораторні роботи з електроніки.

2025-11-27T00:00:00Z Головіна, Ніна Анатоліївна Кобель, Григорій Петрович Савош, Валентин Олексійович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/29274 2025-11-20T13:22:58Z 2025-06-01T00:00:00Z

Назва: Переддипломна педагогічна практика (10-11 класи) Автори: Головіна, Ніна Анатоліївна; Кобель, Григорій Петрович; Савош, Валентин Олексійович Короткий огляд (реферат): У методичних рекомендаціях подано матеріали щодо організації та проходження виробничої переддипломної педагогічної практики здобувачами освіти ОКР “Магістр” галузі знань А – Освіта; спеціальність А4 – Середня освіта, предметна спеціальність А4.08 – Середня освіта (Фізика та астрономія), освітньо-професійна програма Середня освіта. Фізика Волинського національного університету імені Лесі Українки. У роботі подано матеріали, які будуть корисні при вивченні освітніх компонент методичного спрямування.

2025-06-01T00:00:00Z Новосад, Олексій Володимирович Шигорін, Олег Павлович Беллаґра, Хадж Каддур Піскач, Людмила Василівна Гомілко, Віктор Вікторович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28560 2025-10-01T08:08:43Z 2025-04-30T00:00:00Z

Назва: Термоелектричні та оптичні властивості кристалів твердих розчинів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12. Автори: Новосад, Олексій Володимирович; Шигорін, Олег Павлович; Беллаґра, Хадж Каддур; Піскач, Людмила Василівна; Гомілко, Віктор Вікторович Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень термоелектричних та оптичних властивостей кристалів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12 із вмістом 10, 20, 30 мол.% Pb4Ga4GeS12.Мета роботи полягала в експериментальному визначенні питомої електропровідності, типу провідності, коефіцієнта Зеєбека, оцінці ширини забороненої зони та розрахунку термоелектричної потужності кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12. Усі дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К). Найвищими значення питомої електропровідності (σ≈170 Ом-1·м-1) володіли зразки твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 20 мол.% Pb4Ga4GeS12. Високі значення σ можуть свідчити про стан матеріалів, близький до виродженого. Термоелектричними методами встановлено, що кристали Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12 належать до напівпровідників п-типу провідності. Значення коефіцієнтів Зеєбека становили 205 мкВ/К, 220 мкВ/К, 240 мкВ/К для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Маючи високі значення коефіцієнта Зеєбека, кристали твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 є перспективними матеріалами для виготовлення чутливих термодатчиків. Встановлено, що найвищі значення термоелектричної потужності (α2·σ=8,2·10-6 Вт/м·К2) властиві кристалам Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з вмістом 20 мол.% Pb4Ga4GeS12.Для оцінки ширини забороненої зони досліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання світла в області краю фундаментального поглинання. Оцінені із спектрів оптичного поглинання значення ширини забороненої зони становили 1,89 еВ, 1,92 еВ, 1,95 еВ для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12-Pb4Ga4GeS12 з вмістом 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Встановлено, що досліджувані кристали є непрямозонними.

2025-04-30T00:00:00Z Новосад, Олексій Володимирович Кевшин, Андрій Григорович https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28559 2025-10-01T07:55:01Z 2025-04-30T00:00:00Z

Назва: Фотоелектричні властивості діодних структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та In-Ga/CuInS2-ZnIn2S4 Автори: Новосад, Олексій Володимирович; Кевшин, Андрій Григорович Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень фотовольтаїчних властивостей поверхнево-бар’єрних структур на основі монокристалічних плівок CuInS2–ZnIn2S4, отриманих методами термічного вакуумного напилення напівпрозорих плівок In на поверхню CuInS2–ZnIn2S4 та механічним втиранням In-Ga евтектики в поверхню монокристалічних сколів CuInS2–ZnIn2S4. Напівпрозорі індієві плівки наносили термічним вакуумним напиленням у ВУП-5 при тиску 1,3·10-5 Па і температурі 300 К. Площа поверхні, на яку наносили напівпрозорий шар In, ста-новила ≈3×3 мм2. При освітленні In/CuInS2–ZnIn2S4 з 8 мол. % ZnIn2S4 зі сторони CuInS2–ZnIn2S4 спостерігався один чітко виражений максимум. Енергетичне положення максимума в спектрі фотонапруги відповідає енергії квантів світла hν≈1,53 еВ. При освітленні зразків зі сторони напівпрозорого шару In спостерігалось два максимуми з енергетичним положенням hν≈1,44 еВ та hν≈1,60 еВ. Аналогічні результати були і для діодних структур з 12 мол. % ZnIn2S4. В зразках з 12 мол. % ZnIn2S4 при освітленні зі сторони монокристалічної підложки спостерігалось зміщення максимуму фотонапруги до 1,56 еВ, що добре узгоджується зі зростанням ширини забороненої зони CuInS2–ZnIn2S4 із збільшенням вмісту ZnIn2S4.Найвищими значеннями фотонапруги серед діодних структур In-Ga/CuInS2–ZnIn2S4 мали структури з 12 мол. % ZnIn2S4. При освітленні зі сторони напівпровідникової підложки спостерігався вузький максимум з енергетичним положенням hν≈1,44 еВ. При освітленні зі сторони In–Ga евтектики поряд з максимумом, обумовленим власними оптичними переходами (hν≈1,68 еВ), в довгохвильовій області спостерігалась менш виражена сходинка, обумовлена домішковим поглинанням світла, відповідальними за яке є VCu.Маючи вузькі максимуми в спектрах фотонапруги, структури In(In–Ga)/CuInS2–ZnIn2S4 можна використовувати як вузькосмугові приймачі світла. Енергетичне положення максимумів у спектрах фотонапруги залежить від складу монокристалів CuInS2–ZnIn2S4, від способу одержання двошарової структури та від сторони структури, яка освітлювалась.

2025-04-30T00:00:00Z